G20N06D52 دیتاشیت

G20N06D52

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G20N06D52
حجم فایل 76.236 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G20N06D52

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G20N06D52
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 45W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1220pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 92pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه